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三星宣布开发出采用3D堆叠技术封装的40nm DDR3内存芯片

相关软件相关文章发表评论 来源:本站整理时间:2010/12/8 21:16:24字体大小:A-A+

作者:佚名点击:43次评论:0次标签: 三星 DDR3内存

3D三星S6桌面v6.7.0安卓版
  • 类型:系统工具大小:7.8M语言:中文 评分:10.0
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 三星公司近日宣布开发出了一种新型DIMM内存,这种内存所使用的芯片中采用了可将多块芯片组装在一起的3D堆叠技术。采用这种技术的内存芯片容量可比普通内存芯片的存储密度提升一倍,用于堆叠的芯片则是三星40nm制程 Green DDR3芯片。

三星称这款内存产品将面向服务器/企业级存储市场,并宣称这种内存产品相比普通的RDIMM内存可最多节电40%,三星还称采用这种堆叠技术可以极大地增加下一代服务器系统的内存芯片存储密度。

3D堆叠技术可在芯片的垂直方向制出微米级尺寸的连接孔洞穿透芯片,然后在这些孔洞中注入导体材料,通过这种方式将两块芯片连接在一起,减小了多芯片的占地面积。三星还计划在30nm及更高级别制程的内存芯片产品上也应用这种技术。

不过三星并没有透露这款新型RDIMM内存的价格信息,仅表示这款产品将于明年上半年正式上市。

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