关于人们对MLC芯片的MP3的误解

关于现在MP3有用MLC和SLC两种芯片的已经不是什么新闻了，但是很多人都害怕自己买到的是MLC芯片的MP3，认为MLC芯片的MP3就一定不好，其实这里面有很多需要说明的地方，存在很多误解。

　　在说明MLC MP3之前我们先了解一下什么是MLC和SLC闪存芯片，以及它们的特点和应用。

　　什么是SLC和MLC？

　　SLC全称为Single-Level Cell，MLC全称为Multi-Level Cell。数码播放器中一般采用两种不同类型的NAND闪存。其中一种叫做SLC（Single Level Cell），单层单元闪存；第二种叫做MLC（Multi Level Cell），多层单元闪存。两者的主要区别是SLC每一个单元储存一位数据，而MLC通过使用大量的电压等级，每一个单元储存两位数据，数据密度比较大。

　　SLC芯片和MLC技术特点

　　一般而言，SLC虽然生产成本较高，但在效能上大幅胜于MLC。SLC晶片可重复写入次数约10万次，而MLC晶片的写入次数至少要达到1万次才算标准，而目前三星MLC芯片采用的MLC芯片写入寿命则在5000次左右。

　　A.读写速度较慢。相对主流SLC芯片，MLC芯片目前技术条件下，理论速度只能达到2MB左右，因此对于速度要求较高的应用会有一些问题。

　　B.MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。

　　C.MLC理论写入次数上限相对较少，因此在相同使用情况下，使用寿命比较SLC短。

　 MP3主控芯片对MLC支持的现状

　　随着三星、现代、东芝的MLC闪存芯片开始量产，但是，由于全新的MLC芯片在存储密度等方面加大，对主控芯片的要求也越来越高。特别是对于读写频繁的数码播放器来说，由于MLC闪存的出错几率很高，对于视频和音频这样的应用来说，必需具备ECC校验机制，目前有的主控芯片通过纯软件校验，这样，无形当中加重了主控芯片的负担。也有部分主控通过硬件的4bit ECC校验和软件校验相结合，从而减轻了主控负担，但是这只是在一定程度上减少出错的几率，MLC的芯片写入次数限制和传输速度等缺点是无法克服的。

　　今年在业界闹的沸沸扬扬的欧洲大批量SD卡招回后国内倾销风波，就是因为主控的原因惹的祸，造成了很大的影响，数据读写量更大的MP3/MP4此类对主控要求的严格程度可见一斑。

　　如何识别MLC芯片

　　1、传输速率：由于MLC芯片技术所限，目前市面上的MP3如果采用了高速USB接口，同样的Mp3出现传输速度相差比较大的，比如Rockchip主控芯片写入速度可以超过3MB/s，如果有的品牌产品只有1M多，不超过2MB，就有可能采用MLC芯片。

　　2、芯片编号：三星MLC芯片采用的芯片编号为：K9G****** K9L*****。现代MLC芯片采用的芯片编号为：HYUU**** HYUV***

　　总结：

　　MLC在架构上取胜SLC，而且国内外厂商也针对MLC做了很多的优化和开发，未来很有可能取代SLC闪存芯片。但是就目前来说，数码播放器主控芯片对MLC的支持应用目前还不是很成熟，相信很快就会有更好的解决方案出台。

　　目前MLC和SLC 在2GB闪存芯片上的价格相差了将近100多元，他们的差异还是比较明显的。所以对于选择数码播放器的朋友，选择更便宜廉价的MLC芯片产品还是选择稳定性和性能更好的SLC产品，就看你的需要了。

以下是 MP3/4 可使用之FLASH 廠牌及列表：


Brand Cell Page Part Number Capacity
Samsung SLC Small Block K9F1208U0M-Y,P 64MB
K9F1208U0A-Y,P 64MB
K9F1208U0A-V,F 64MB
K9F1208U0B-Y,P 64MB
K9F1208U0B-V,F 64MB
K9F1208U0A-YCB0 128MB
K9K1G08U0M-Y 128MB
K9K1G08U0A-Y,P 128MB
K9K1G08U0A-V,F 128MB
K9T1G08U0M-Y,P 128MB
K9T1G08U0M-V,F 128MB
K9T1G08B0M-Y,P 128MB
K9T1G08B0M-V,F 128MB
K9E2G08U0M-Y,P 256MB
K9E2G08U0M-V,F 256MB
Large Block K9F1G08U0M-Y,P 128MB
K9F1G08U0M-V,F 128MB
K9F1G08U0A-Y,P 128MB
K9F1G08U0A-V,F 128MB
K9F1G16U0M 128MB
K9K2G08U0M-Y,P 256MB
K9K2G08U0M-V,F 256MB
K9F2G08U0M-Y,P 256MB
K9K4G08U0M-Y,P 512MB
K9W8G08U1M-Y,P 1GB
K9F4G08U0M-Y,P 512MB
K9K8G08U0M-Y,P 1GB
K9F4G08U0A 512MB
K9K8G08U0A 1GB
K9WAG08U1M 2GB
MLC Small Block 　 　
　 　
Large Block K9G4G08U0M-YCB0 512MB
K9L8G08U0M-PCB0 1GB
K9HAG08U1M-PCB0 2GB
Toshiba SLC Small Block TC58512FT 64MB
TC58DVM92A1FT 64MB
TH58100FT 128MB
TC58DVG02A1FT 128MB
TC58DVG04B1FTI0 128MB
TC58DVG14B1FT00 256MB
TC58DVG02A1FT00 　
TC58DVG02A2FT00 128MB
Large Block TC58NVG0S3AFT 128MB
TH58NVG1S3AFT 256MB
TC58NVG1S3BFT00 256MB
TH58NVG2S3BFT00 512MB
MLC Small Block 　 　
　 　
Large Block TC58NVG1D4BTG00 256MB
TC58NVG2D4BTG00 512MB
TH58NVG3D4BTG00 1GB
TH58NVG4D4BTG20 2GB
TC58NVG2D4BFT00 512MB
TC58NVG3D4CTG00 1GB
TC58NVG4D4CTG00 2GB
Renasas AG-AND 　 HN29V1G91T-30V 128MB
　 　
　 　
Infineon 　 　 　
　 　 
SanDisk SLC Large Block SDTNGEHE0-1024 128MB
SDTNGEFE0-2048 256MB
MLC Small Block SDTNGCHE0-512 64MB
SDTNGCHE0-1024 128MB
SDTNGCHE0-2048 256MB
Hynix SLC Small Block HY27US08121M-T,V 64MB
HY27UA081G1M-T,V 128MB
Large Block HY27UF081G2M-T,V 128MB
HY27UF082G2M 256MB
HY27UG082G2M-T,V 256MB
HY27UG084G2M 512MB
HY27UH084G2M-T 512MB
HY27UF084G2M 512MB
HY27UG088G5M 1GB
HY27UH08AG5M 2GB
HY27UH088G2M 1GB
MLC 　 HY27UT084G2M 512MB
HY27UU088G5M 1GB
ST SLC Small Block NAND128W3A 16MB
NAND256W3A 32MB
NAND512W3A 64MB
NAND01GW3A 128MB
Large Block NAND512W3B 64MB
NAND01GW3B 128MB
NAND02GW3B2AN6 256MB
NAND02GW3B2BN6 256MB
NAND04DW3B 512MB
NAND08GW3B 1024MB
MLC Small Block 　 　
　 　
Large Block 　 　
　 　
Micron SLC Small Block 　 　
　 　
　 　
Large Block MT29F2G08AAB 256MB
MT29F4G08BAB 512MB
MT29F8G08FAB 1GB
MT29F2G08AAC 256MB
MT29F4G08AAA 512MB
MLC Small Block 　 　
　 　
Large Block